兵器装备工程学报

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稿件标题: AlGaN深紫外光电探测器响应时间分析
稿件作者: 王连家
栏目名称: 其他研究
关键字词: AlGaN;pn;光电探测器;响应时间
文章摘要: 利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上制备了高质量的AlGaN薄膜材料,并用传统的紫外光刻技术和湿度刻蚀方法将生长出来的材料制备成深紫外光电探测器件;利用KrF激光器的248nm波长的光作为激发光源,测试了器件在3V偏压下的响应时间,最小达到了032ms,分析比较了正入射和背入射2种结构的响应时间。
收录刊物: 2010年11期
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